镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法与流程

技术特征：1.一种镓解理面氮化镓铝/氮化镓磊晶结构，其特征在于，其包含有:

一硅基底；

一氮化镓碳掺杂高阻值层，其位于该硅基底上；

一氮化镓铝缓冲层，其位于该氮化镓碳掺杂高阻值层上；

一氮化镓通道层，其形成于该氮化镓铝缓冲层上；以及

一氮化镓铝层，其形成于该氮化镓通道层上，其中该氮化镓铝层中的铝含量范围为x，而该x=0.1~0.3；该氮化镓铝缓冲层中的铝含量范围为y，而该y=0.05~0.75；

其中该氮化镓碳掺杂高阻值层与该氮化镓铝缓冲层间更设置有一铝含量渐进式变化的氮化镓铝缓冲层，该铝含量渐进式变化的氮化镓铝缓冲层的铝含量范围为z，而该z=0.01-0.75。

技术总结本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。技术研发人员：江文章受保护的技术使用者：黄知澍技术研发日：2017.06.14技术公布日：2020.12.01